近日，国产半导体厂商DRAM产业又添一名“猛将”，继福建晋华、合肥长鑫、长江存储之后，兆易创新也将开展工艺制程19nm存储器的12英寸晶圆存储器（含DRAM等）研发项目。详情一起来了解！

我国DRAM产业又添了一名“猛将”

10月26日，兆易创新正式宣布与合肥市产业投资控股(集团)有限公司签署了《关于存储器研发项目之合作协议》，双方将在安徽省合肥市经济技术开发区合作开展工艺制程 19nm 存储器的 12 英寸晶圆存储器（含 DRAM 等）研发项目（以下简称“本次合作”或“本项目”）。

该项目预算约为 180 亿元人民币，项目研发及生产的DRAM等优先供其公司销售并满足其客户的市场需求，以及优先承接其DRAM产品的代工需求。

据悉，该项目开展工艺制程19nm 存储器的 12 英寸晶圆存储器（含 DRAM 等）的研发，目标是在 2018 年12 月 31 日前研发成功，即实现产品良率（测试电性良好的芯片占整个晶圆的比例）不低于 10%。因此这次的合作，对国产DRAM产业无疑是一个重大的推进。

DRAM将获得充足的产能供应

近年来，随着国家不断加大对存储产业的建设、加强对数据信息安全存储的重视，产业扶持政策和新项目投资都持续升温。

从我国发布的《国家集成电路产业发展推进纲要》可以看到，截止目前为止国家大基金/华芯投资已投资50多个项目，40多家企业，中国集成电路产业前进的步伐正在进行中。

目前，存储晶圆制造项目正在施工，拟建成业界先进工艺制程的DRAM存储器晶圆研发项目，计划2017年厂房建成，2018年上半年完成设备安装和调试，预计下半年生产。

若项目顺利实施，将可助力我国在DRAM存储芯片上提高竞争力，以及获得充足的产能供应，有效地填补我国高端DRAM制造业的空白。

事实上，除了兆易创新，其他的DRAM企业的发展脚步也在加速。

早在去年7月份，台湾晶圆代工厂联电与我国福建晋华集成电路公司合作的12吋随机存取记忆体（DRAM）生产线（晋华项目）就已正式开工。据报道，该项目1期拟投入53亿美元，建设晶圆产线、产业链配套等，预计2018年9月试产，并达到月产6万片的规模。

而东芯半导体，采用先进的24nm闪存工艺已成功研发出8Gb SLC/16Gb MLC NAND闪存产品，这标志着我国已经具备以先进制程工艺来开发、设计及制造一系列闪存芯片的能力，进一步缩小了与国际厂商技术水平间的差距。

随着国内硅格半导体等控制芯片设计厂商的不断自我提升和超越，其在存储行业制造、设计研发等能力方面正在微露锋芒，未来在全球存储市场将占有一席之地，进一步加快存储芯片国产化的步伐。